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Gas sensor with long term stability measures thermo-emf, for an applied temperature gradient, of a metal oxide semi-conductor layer of very low thickness

机译:具有长期稳定性的气体传感器可通过施加的温度梯度来测量非常薄的金属氧化物半导体层的热电动势

摘要

Gas sensor comprises a silicon or ceramics substrate on which is deposited a metal oxide semi-conductor layer as a functional surface (FS), where the layer thickness, or grain size of a polycrystalline deposit forming the surface, is smaller than the Debye separation in the metal oxide. A thermal gradient is applied to the sensor and the thermoelectric emf is measured.
机译:气体传感器包括硅或陶瓷基板,在其上沉积了金属氧化物半导体层作为功能表面(FS),其中形成该表面的多晶沉积物的层厚度或晶粒尺寸小于Debye分离金属氧化物。将热梯度应用于传感器并测量热电电动势。

著录项

  • 公开/公告号DE102004010067A1

    专利类型

  • 公开/公告日2005-09-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MOOS RALF;RETTIG FRANK;

    申请/专利号DE20041010067

  • 发明设计人 MOOS RALF;RETTIG FRANK;

    申请日2004-03-02

  • 分类号G01N27/12;G01K7/16;G01N25/32;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 22:00:52

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