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Memory cell production method for a non-volatile memory cell has a solid-state electrolyte area as a memory element activated by building in a fundamental rule

机译:用于非易失性存储单元的存储单元的制造方法具有通过建立基本规则而被激活的固态电解质区域作为存储元件

摘要

A geometrical shape used for building in a fundamental rule to activate a solid-state electrolyte (16) produces a geometrical shape/structure for a memory element (11) and/or for an activated area in the solid-state electrolyte.
机译:用于建立基本规则以激活固态电解质(16)的几何形状产生用于存储元件(11)和/或固态电解质中的激活区域的几何形状/结构。

著录项

  • 公开/公告号DE102004014965A1

    专利类型

  • 公开/公告日2005-10-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INFINEON TECHNOLOGIES AG;

    申请/专利号DE20041014965

  • 发明设计人 PINNOW CAY-UWE;HAPP THOMAS;

    申请日2004-03-26

  • 分类号H01L21/8239;G11C16/00;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 22:00:47

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