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method for cleaning a porous surface of a halbleitersubstrats

机译:清洗半缩醛基质的多孔表面的方法

摘要

Provided is a suitable cleaning method of porous semiconductor substrate without occurrence of collapse of porous structure due to cavitation or resonance. In a cleaning method of porous surface of semiconductor substrate having the porous structure at least in the surface, cleaning for removing dust particles adhering to the porous surface of the substrate takes place with pure water on which a high-frequency wave with a frequency in the range of from 600 kHz to 2 MHz is superimposed. IMAGE
机译:提供一种合适的多孔半导体衬底的清洁方法,而不会发生由于气蚀或共振引起的多孔结构的塌陷。在至少在表面具有多孔结构的半导体衬底的多孔表面的清洁方法中,用纯水进行清洁以去除附着在衬底的多孔表面上的灰尘颗粒,所述纯水在该表面上具有在叠加了600 kHz至2 MHz的范围。 <图像>

著录项

  • 公开/公告号DE69734078D1

    专利类型

  • 公开/公告日2005-10-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 CANON K.K. TOKIO/TOKYO;

    申请/专利号DE19976034078T

  • 发明设计人 FUJIYAMA YASUTOMO;KUMOMI HIDEYA;

    申请日1997-05-28

  • 分类号H01L21/306;B08B3/12;H01L21/20;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 21:59:02

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