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The static memory cell which is random (sram), and by a memory ultra low consumption completed on the basis of such cells.

机译：静态（sram）静态存储单元，并通过基于这种存储单元的超低功耗完成。

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公开/公告号FR2853445B1

专利类型
公开/公告日2005-10-14

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申请/专利权人 AMARA AMARA;OLIVIER THOMAS;
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申请/专利号FR20030004127
发明设计人 AMARA AMARA;OLIVIER THOMAS;
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申请日2003-04-02
分类号G11C11/412;H01L27/11;
国家 FR
入库时间 2022-08-21 21:58:29

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