要解决的问题:提供具有优异的耐剥离性并且还具有高的有序性,结晶性和导电特性的有机薄膜,以及用于制造该薄膜的化合物及其制造方法。
解决方案:该有机硅烷化合物是通过在式(I)表示的分子上取代甲硅烷基而获得的,其中,x1,x2满足1&x1,1&x2,2&x1 + x2&8; y1,z1分别为2-8; y2和z2分别为0-8;并且其骨架可以被疏水基团取代]。通过卤化式(I)的分子并使硅烷衍生物反应来提供有机硅烷化合物的制备方法。通过排列有机硅烷化合物分子以将甲硅烷基基团定位在基板侧而将分子(I)部分定位在膜表面侧来提供有机薄膜。
版权:(C)2006,JPO&NCIPI
公开/公告号JP2006062965A
专利类型
公开/公告日2006-03-09
原文格式PDF
申请/专利权人 SHARP CORP;
申请/专利号JP20040243510
申请日2004-08-24
分类号C07F7/12;C07F7/18;H01B1/12;H01L21/368;H01L29/786;H01L51/05;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 21:51:20