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Composition for forming low dielectric thin film including siloxane monomer or siloxane polymer having only one type of stereoisomer and method of producing low dielectric thin film using same

机译:用于形成仅具有一种立体异构体的包括硅氧烷单体或硅氧烷聚合物的低介电薄膜的组合物以及使用该组合物的低介电薄膜的制造方法

摘要

Disclosed herein is a composition for forming a low dielectric thin film, which includes silane monomers having only any one of stereoisomer, or a siloxane polymer produced by polymerizing the monomers, and a method of producing the low dielectric thin film using the same. When using the composition, mechanical properties are excellent because tacticity of a matrix is improved, and formation of pores is increased due to a molecular free volume, thus it is possible to produce a low dielectric thin film having low dielectricity.
机译:本文公开了用于形成低介电薄膜的组合物,其包括仅具有立体异构体的硅烷单体或通过使单体聚合而制备的硅氧烷聚合物,以及使用该单体制备低介电薄膜的方法。当使用该组合物时,由于改善了基体的立构规整度,并且由于无分子体积而增加了孔的形成,因此机械性能优异,因此可以制备具有低介电常数的低介电薄膜。

著录项

  • 公开/公告号US2006175683A1

    专利类型

  • 公开/公告日2006-08-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HYEON JIN SHIN;HYUN DAM JEONG;

    申请/专利号US20050218753

  • 发明设计人 HYEON JIN SHIN;HYUN DAM JEONG;

    申请日2005-09-06

  • 分类号H01L23/58;H01L21/31;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 21:45:44

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