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MICRO OR BELOW SCALE MULTI-LAYERED HETEOSTRUCTURE

机译:微尺度或更低尺度的多层异质结构

摘要

A heteostructure having a first and a second layer, in micrometer or smaller (e.g. nanometer) scale, arranged in a configuration defining at least one undercut at one side of the second layer, underneath the first layer, is described herein. In various embodiments, the undercut is filled with passivation materials to protect the layers underneath the first layer. Further, in various embodiments, a large metal contact layer including coverage of the first layer sidewall may be employed to provide significant increase in contact area, and to reduce the device contact resist value.
机译:本文描述了具有微米级或更小(例如纳米级)规模的第一层和第二层的异质结构,该第一层和第二层以在第一层下方的第二层的一侧处限定至少一个底切的构型布置。在各种实施例中,底切填充有钝化材料以保护第一层下方的层。此外,在各种实施例中,可以采用包括第一层侧壁的覆盖物的大型金属接触层来提供接触面积的显着增加,并减小器件的接触抗蚀剂值。

著录项

  • 公开/公告号WO2006012339A1

    专利类型

  • 公开/公告日2006-02-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INTEL CORPORATION;ZHENG JUN-FEI;

    申请/专利号WO2005US22574

  • 发明设计人 ZHENG JUN-FEI;

    申请日2005-06-24

  • 分类号H01L23/31;H01L31/0203;H01L51/00;

  • 国家 WO

  • 入库时间 2022-08-21 21:32:40

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