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Semiconductor memory device having devided input data strobe and output data strobe

机译:具有划分的输入数据选通和输出数据选通的半导体存储器件

摘要

PURPOSE: A semiconductor memory device having separated input data strobe and output data strobe is provided to enable read and write data continuously so as to increase the bandwidth of the DDR(Double Data Rate) synchronous memory device. CONSTITUTION: The semiconductor memory device includes the first pad(700), the second pad(710), the third pad(720) and the forth pad(730). The first pad receives an input data strobe signal from outside. The second pad delivers the an output data strobe signal to outside. The third pad receives the input data from outside. The forth pad delivers output data to outside. A global input line for delivering the input data to the memory cell and a global output line to deliver the output data from the memory cell are separated from each other. The DDR(double data rate) synchronous memory device includes the global input line as well as the global output line.
机译:目的:提供一种具有分离的输入数据选通和输出数据选通的半导体存储器件,以连续地进行数据读写,以增加DDR(双倍数据速率)同步存储器件的带宽。组成:半导体存储器件包括第一焊盘(700),第二焊盘(710),第三焊盘(720)和第四焊盘(730)。第一焊盘从外部接收输入数据选通信号。第二焊盘将输出数据选通信号传送到外部。第三焊盘从外部接收输入数据。第四打击垫将输出数据传递到外部。用于将输入数据传送到存储单元的全局输入线和用于从存储单元传送输出数据的全局输出线彼此分开。 DDR(双倍数据速率)同步存储设备包括全局输入线和全局输出线。

著录项

  • 公开/公告号KR100537205B1

    专利类型

  • 公开/公告日2005-12-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR19990060497

  • 发明设计人 한상신;류제훈;

    申请日1999-12-22

  • 分类号G11C11/40;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 21:27:15

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