首页> 外国专利> Source and drain metal thin film transistor liquid crystal using a molybdenum-tungsten alloy as a display device substrate, and a method of manufacturing the same

Source and drain metal thin film transistor liquid crystal using a molybdenum-tungsten alloy as a display device substrate, and a method of manufacturing the same

机译:使用钼-钨合金作为显示装置基板的源极和漏极金属薄膜晶体管液晶及其制造方法

摘要

The contact (contact) resistance of the contact portion of the pixel electrode is reduced by forming a source electrode and a drain electrode by using a molybdenum-tungsten (MoW) alloy, an organic insulating film in the TFT-LCD substrate for use with a protective film.
机译:通过使用钼钨(MoW)合金形成源电极和漏电极来降低像素电极的接触部分的接触(接触)电阻,其中钼-钨合金用于TFT-LCD基板中的有机绝缘膜。保护膜。

著录项

  • 公开/公告号KR100569729B1

    专利类型

  • 公开/公告日2006-04-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.;

    申请/专利号KR19970012637

  • 发明设计人 LEE JEONG HO;

    申请日1997-04-07

  • 分类号H01L27/12;G02F1/136;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 21:24:01

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号