要解决的问题:为了提供一种制造单晶衬底的方法,该方法适用于制造其中至少在其中形成有极性A的单晶的晶体的单晶衬底。具有不同极性A和B且相对于晶体取向具有相反结构的部分共存,并且在极性A的单晶上制造器件。
解决方案:在晶体中,具有不同极性A的部分与B和B分别相对于晶体取向具有相反方向的结构并存,具有极性B的部分被蚀刻以去除表面部分,或者在不去除表面部分的情况下被不同种类的物质M覆盖。进行同一晶体的生长以覆盖具有极性A的晶体A'的表面。
版权所有:(C)2007,JPO&INPIT
公开/公告号JP2007223895A
专利类型
公开/公告日2007-09-06
原文格式PDF
申请/专利权人 SUMITOMO ELECTRIC IND LTD;
申请/专利号JP20070065944
申请日2007-03-15
分类号C30B25/20;H01L21/205;C30B29/38;H01L33;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 21:13:13