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COMMUNICATION-RELATED OPTICAL DEVICE ELEMENT USING amp;beta;-FeSi2

机译:使用β-FeSi2的与通信相关的光学器件元件

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a communication-related optical device element in which a β-FeSi2 single crystal layer is arranged on an inexpensive SOI substrate having a large diameter.;SOLUTION: The thickness of an Si layer of the surface of a commercially available SOI substrate is thinned to about 5 nm, and subsequently, Fe atoms are implanted into the Si layer by an ion implantation method. In this way, the β-FeSi2 single crystal layer can be easily formed and the inexpensive and safe light-emitting device element substrate for communication can be obtained.;COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
机译:解决的问题:提供一种通信相关的光学器件元件,其中将--FeSi 2 单晶层布置在具有大直径的廉价SOI衬底上。将可商购的SOI衬底的表面的Si层减薄至约5nm,然后,通过离子注入法将Fe原子注入到Si层中。以此方式,可以容易地形成β-FeSi 2 单晶层,并且可以获得便宜且安全的用于通信的发光器件元件基板。;版权所有:(C)2007,JPO&INPIT

著录项

  • 公开/公告号JP2007109795A

    专利类型

  • 公开/公告日2007-04-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 OSAKA PREFECTURE UNIV;

    申请/专利号JP20050297685

  • 发明设计人 NAKAO MOTOI;IZUMI KATSUTOSHI;

    申请日2005-10-12

  • 分类号H01L33/00;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 21:11:30

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