机译:它由氧化物透明导电膜和形成氧化物透明导电膜的靶及其制备方法和基板的电子设备组成,该基板的前面具有氧化物透明导电膜和化合物
公开/公告号JP3961172B2
专利类型
公开/公告日2007-08-22
原文格式PDF
申请/专利号JP19990336865
申请日1999-11-26
分类号H01B5/14;C23C14/08;C23C14/34;G02F1/1343;G09F9/00;G09F9/30;H01B1/08;H01B13/00;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 21:10:44