解决方案:提供一种处理具有低反射率的用于太阳能电池的单晶或多晶硅衬底A的表面的方法,该方法具有在硅表面上进行粗糙化处理的第一步。通过进行化学或物理处理的基板A;第二步骤,在真空下利用氧气对粗糙化的硅基板A的表面进行第一等离子体处理。第三步骤,通过在真空下在经过第一等离子体处理的硅基板A的表面上使用卤素气体进行第二等离子体处理,从而在粗糙化的硅基板A的表面上形成微细的凹凸。
版权:(C)2007,日本特许厅&INPIT
公开/公告号JP2007036170A
专利类型
公开/公告日2007-02-08
原文格式PDF
申请/专利权人 SHINRYO CORP;
申请/专利号JP20050311834
申请日2005-10-26
分类号H01L31/04;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 21:09:24