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In the 1st field of creation manner, exposure

机译:在创作方式的第一场,曝光

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To realize an accurate exposure pattern by exactly obtaining optimum exposure corresponding to the change of the sensitivity of a resist. SOLUTION: A chip pattern and a pattern for measuring sensitivity are exposed on the resist (S1), the film thickness of a part on which the pattern for measuring sensitivity on the resist is exposed is measured (S2), and correction exposure is decided from the measured result and a resist film thickness and exposure table previously obtained (S3), then, correction exposure is performed with the correction exposure (S4).
机译:解决的问题:通过精确地获得对应于抗蚀剂灵敏度变化的最佳曝光来实现精确的曝光图案。解决方案:在抗蚀剂上曝光芯片图案和用于测量灵敏度的图案(S1),测量在其上曝光了用于在抗蚀剂上测量灵敏度的图案的部分的膜厚(S2),并确定校正曝光根据测量结果和先前获得的抗蚀剂膜厚度和曝光表(S3),然后利用校正曝光进行校正曝光(S4)。

著录项

  • 公开/公告号JP3866435B2

    专利类型

  • 公开/公告日2007-01-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社東芝;

    申请/专利号JP19990071602

  • 发明设计人 中杉 哲郎;伊藤 正光;阿部 秀昭;

    申请日1999-03-17

  • 分类号G03F1/08;G03F1/16;G03F7/20;H01L21/027;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 21:07:22

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