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Double metal collimated photo masks, diffraction gratings, optics system, and method related thereto

机译:双金属准直光掩模,衍射光栅,光学系统及其相关方法

摘要

A photo mask having at least 2 mask pattern layers disposed to collimate light patterns passing through the mask. An improved optical photo lithographic system utilizing light collimating photo masks to improve resolution, depth of focus and field size. A method of manufacturing integrated circuit chips utilizing light collimating photo mask technology.
机译:一种具有至少两个掩模图案层的光掩模,所述至少两个掩模图案层设置为准直通过掩模的光图案。一种改进的光学光刻系统,其利用光准直光掩模来提高分辨率,焦点深度和视野大小。一种利用光准直光掩模技术制造集成电路芯片的方法。

著录项

  • 公开/公告号US2007148558A1

    专利类型

  • 公开/公告日2007-06-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SHAHZAD AKBAR;

    申请/专利号US20050318712

  • 发明设计人 SHAHZAD AKBAR;

    申请日2005-12-27

  • 分类号G03F9/00;G03F1/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 21:04:12

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