首页> 外国专利> Memory device controls delay time of data input buffer in response to delay control information based on a position of a memory device received from memory controller

Memory device controls delay time of data input buffer in response to delay control information based on a position of a memory device received from memory controller

机译:存储设备响应于基于从存储控制器接收的存储设备的位置的延迟控制信息来控制数据输入缓冲器的延迟时间。

摘要

An integrated circuit memory system includes one or more memory modules in which at least one of the memory modules is responsive to a control signal and has delay control information stored thereon. The memory system further includes a memory controller that is configured to generate the control signal in response to the delay control information.
机译:一种集成电路存储系统,包括一个或多个存储模块,其中至少一个存储模块响应控制信号并在其上存储有延迟控制信息。该存储系统还包括存储控制器,该存储控制器被配置为响应于延迟控制信息而生成控制信号。

著录项

  • 公开/公告号US7246250B2

    专利类型

  • 公开/公告日2007-07-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TAE-SUNG JUNG;WON-KI SONG;

    申请/专利号US20010941091

  • 发明设计人 TAE-SUNG JUNG;WON-KI SONG;

    申请日2001-08-28

  • 分类号G06F1/12;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 21:02:14

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号