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A PROCESS FOR MAKING IN-SITU SILICON CARBIDE IN THE FORM OF PARTICULATE, WHISKERS AND CARBON MATRIX COMPOSITES.

机译：以颗粒，晶须和碳基质复合物形式原位制造碳化硅的方法。

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机译：上

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公开/公告号IN1999DE01508A

专利类型
公开/公告日2007-02-09

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申请/专利权人
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申请/专利号IN1508/DEL/1999
发明设计人 NRIPATI RANJAN BOSE;ASOK KUMAR DE;KALYAN KUMAR PHANI;SANKAR GHATAK;
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申请日1999-11-26
分类号C08K3/34;
国家 IN
入库时间 2022-08-21 20:58:28

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