首页> 外国专利> CONTROL OF STRAIN IN DEVICE LAYERS BY SELECTIVE RELAXATION AND PREVENTION OF RELAXATION

CONTROL OF STRAIN IN DEVICE LAYERS BY SELECTIVE RELAXATION AND PREVENTION OF RELAXATION

机译：通过选择性松弛和防止松弛来控制设备层中的应变

页面导航

摘要
著录项
相似文献

摘要

The benefits of strained semiconductors are combined with silicon-on-insulator approaches to substrate and device fabrication. Strain in the strained semiconductors is controlled for improved device performance.

机译：应变半导体的优点与绝缘体上硅方法结合在一起用于衬底和器件制造。控制应变半导体中的应变以改善器件性能。

著录项

公开/公告号WO2007035398A2

专利类型
公开/公告日2007-03-29

原文格式PDF
申请/专利权人 AMBERWAVE SYSTEMS CORPORATION;CURRIE MATTHEW T.;
展开▼

申请/专利号WO2006US35814
发明设计人 CURRIE MATTHEW T.;
展开▼

申请日2006-09-14
分类号H01L21/336;
国家 WO
入库时间 2022-08-21 20:50:35

相似文献

专利
外文文献
中文文献