机译:发光二极管及其制造方法,集成发光二极管及其制造方法,基于氮化物的III-V族复合半导体沉积方法,光源单元,发光二极管背光源,发光二极管和发光二极管
公开/公告号KR20060118349A
专利类型
公开/公告日2006-11-23
原文格式PDF
申请/专利权人 SONY CORPORATION;
申请/专利号KR20060043374
发明设计人 OHMAE AKIRA;TOMIYA SHIGETAKA;MAEDA YUKI;SHIOMI MICHINORI;AMI TAKAAKI;MIYAJIMA TAKAO;YANASHIMA KATSUNORI;TANGE TAKASHI;YASUDA ATSUSHI;
申请日2006-05-15
分类号H01L33;
国家 KR
入库时间 2022-08-21 20:43:39