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LOW VOLTAGE REGULATED CASCADE CIRCUITS AND CMOS ANALOG CIRCUITS

机译:低压稳压级联电路和CMOS模拟电路

摘要

A low voltage regulated cascade circuit and a CMOS analog circuit using the same are provided to maintain a high output resistance and a wide output voltage swing width at an operation voltage under one volt by maintaining a higher threshold voltage than the threshold voltage of NMOS transistors. A low voltage regulated cascade circuit includes a first MOS transistor(NM2), a second MOS transistor(NM1), a third MOS transistor(PM1), and a first current source(CS2). The first MOS transistor(NM2) of a first conductive type is connected between an output terminal and a first node. The second MOS transistor(NM1) of a first conductive type applies a bias voltage to a gate and is connected between the first node and a second power terminal. A third MOS transistor(PM1) of a second conductive type different from the first conductive type is connected between a first power terminal and a gate of the first MOS transistor(NM2). The first current source(CS2) is connected between a second power voltage and the gate of the first MOS transistor(NM2).
机译:提供了低压稳压级联电路和使用该低压稳压级联电路的CMOS模拟电路,以通过维持比NMOS晶体管的阈值电压高的阈值电压来在1伏以下的工作电压下维持高输出电阻和宽输出电压摆幅。低压稳压级联电路包括第一MOS晶体管(NM2),第二MOS晶体管(NM1),第三MOS晶体管(PM1)和第一电流源(CS2)。第一导电类型的第一MOS晶体管(NM2)连接在输出端子和第一节点之间。第一导电类型的第二MOS晶体管(NM1)向栅极施加偏置电压,并连接在第一节点和第二电源端子之间。与第一导电类型不同的第二导电类型的第三MOS晶体管(PM1)连接在第一电源端子和第一MOS晶体管(NM2)的栅极之间。第一电流源(CS2)连接在第二电源电压和第一MOS晶体管(NM2)的栅极之间。

著录项

  • 公开/公告号KR20070087987A

    专利类型

  • 公开/公告日2007-08-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.;

    申请/专利号KR20060018026

  • 发明设计人 SHIN SOON KYUN;JUNG MU KYENG;

    申请日2006-02-24

  • 分类号H03K19/00;H03K19/094;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 20:33:39

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