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机译:具有输入潜伏期控制电路的半导体存储器及其控制输入潜伏期的方法
公开/公告号KR20070092085A
专利类型
公开/公告日2007-09-12
原文格式PDF
申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.;
申请/专利号KR20060092619
发明设计人 KIM SUNG HOON;KIM JOUNG YEAL;JANG SEONG JIN;KIM KYOUNG HO;
申请日2006-09-25
分类号G11C7/20;G11C8/18;
国家 KR
入库时间 2022-08-21 20:33:34
机译: 输入等待时间控制电路,包括输入等待时间控制电路的半导体存储装置及其方法
机译: 具有输入潜伏期控制电路的半导体存储器及其控制输入潜伏期的方法