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THIN FILM TRANSISTOR ARRAY, FABRICATION METHOD THEREOF, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE EMPLOYING THE SAME

机译:薄膜晶体管阵列,其制造方法以及采用该薄膜晶体管的液晶显示器

摘要

A fabrication method of a thin film transistor array substrate includes a step of forming a gate insulation film, a semiconductor layer, an ohmic layer, and a metal film on the insulating substrate on which the gate line is formed, a step of forming a resist pattern on the metal film by a photolithography process so that its thickness is thinner on the corresponding section to the semiconductor active layer than on the other sections, a step of etching the metal film to form the source line, the source electrode, and the drain electrode, a step of removing the ohmic layer and the semiconductor layer after removing the resist on the corresponding section to the semiconductor active layer, a step of removing the metal film, and a step of removing the ohmic layer.
机译:薄膜晶体管阵列基板的制造方法包括以下步骤:在形成有栅极线的绝缘基板上形成栅极绝缘膜,半导体层,欧姆层和金属膜;形成抗蚀剂的步骤。通过光刻工艺在金属膜上形成图案,以使其在与半导体活性层相对应的部分上的厚度比在其他部分上的厚度薄,这是蚀刻金属膜以形成源极线,源极和漏极的步骤电极,去除与半导体活性层对应的部分上的抗蚀剂之后的去除欧姆层和半导体层的步骤,去除金属膜的步骤以及去除欧姆层的步骤。

著录项

  • 公开/公告号KR100699208B1

    专利类型

  • 公开/公告日2007-03-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20030016891

  • 发明设计人 나까시마겐;모리따히로마사;

    申请日2003-03-18

  • 分类号G02F1/136;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 20:32:34

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