首页> 外国专利> TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE THIN FILM DEPOSITED WITH BUFFER LAYER ON POLYMER SUBSTRATE AND ITS PREPARATION

TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE THIN FILM DEPOSITED WITH BUFFER LAYER ON POLYMER SUBSTRATE AND ITS PREPARATION

机译:在聚合物基体上沉积有缓冲层的透明导电氧化物薄膜及其制备

摘要

A transparent conductive oxide thin film deposited with a buffer layer on a polymer substrate and a manufacturing method thereof are provided to improve instability of the polymer substrate by controlling a thickness of a ZnO buffer layer to reduce diffusion of vapor and oxygen. A ZnO buffer layer is deposited on a polymer substrate. A ZnO thin film doped with Ga is deposited on the Zno buffer layer. The polymer substrate is selected from PET(polyethylene terephtalate), PEN(polyethylene naphthalate), PPA(polypropylene adipate), and PI(polyisocyanate). A thickness of the ZnO buffer layer is 10 nm to 300 nm, or 60 nm to 150 nm.
机译:提供了一种在聚合物基板上沉积有缓冲层的透明导电氧化物薄膜及其制造方法,以通过控制ZnO缓冲层的厚度以减少蒸气和氧气的扩散来改善聚合物基板的不稳定性。 ZnO缓冲层沉积在聚合物基材上。掺杂有Ga的ZnO薄膜沉积在Zno缓冲层上。聚合物基材选自PET(聚对苯二甲酸乙二酯),PEN(聚萘二甲酸乙二酯),PPA(聚己二酸丙二酯)和PI(聚异氰酸酯)。 ZnO缓冲层的厚度为10nm至300nm,或60nm至150nm。

著录项

  • 公开/公告号KR100733915B1

    专利类型

  • 公开/公告日2007-06-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INHA-INDUSTRY PARTNERSHIP INSTITUTE;

    申请/专利号KR20060072321

  • 发明设计人 LEE CHONG MU;KIM SOOK JOO;

    申请日2006-07-31

  • 分类号H01L21/316;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 20:31:50

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号