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COPPER OR COPPER ALLOY TARGET/COPPER ALLOY BACKING PLATE ASSEMBLY

机译:铜或铜合金靶材/铜合金背板组件

摘要

copper or eddy current ( ) in respect to the copper alloy sputtering target characteristics and other magnetron sputtering target balanced properties which are required to be a challenge to provide a balance that copper or copper alloy target / copper alloy backing plate assembly . ; copper or copper alloy using a magnetron sputtering target / copper alloy backing plate assembly as , copper alloy backing plate is low ( ) beryllium copper alloy or Cu-Ni-Si -based alloy of copper or copper alloy target / copper alloy backing plate assembly . Further, the copper alloy backing plate has electrical conductivity 35 ~ 60% (IACS),. Copper or copper alloy target / copper alloy backing plate assembly which includes a 0.2% proof stress 400 ~ 850MPa
机译:铜或涡流()相对于铜合金靶的特性和其他磁控溅射靶的平衡性能是挑战,以提供铜或铜合金靶/铜合金背板组件的平衡。 ;铜或铜合金采用磁控溅射靶/铜合金背板组件作为,铜合金背板是低(铍)铜合金或铜-镍-硅基铜或铜合金靶/铜合金背板组件。另外,铜合金垫板的电导率为35〜60%(IACS)。铜或铜合金靶/铜合金垫板组件,其承受0.2%的极限应力400〜850MPa

著录项

  • 公开/公告号KR100762084B1

    专利类型

  • 公开/公告日2007-10-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20067014348

  • 申请日2006-07-18

  • 分类号C23C14/34;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 20:31:18

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