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A magnetron sputter process - and - a magnetron sputtering apparatus

机译:磁控溅射工艺以及磁控溅射设备

摘要

A magnetron - sputtering processes, comprising:The sputtering process carried out by generating a magnetron - discharge in the vicinity of a plurality of targets, wherein the targets are arranged close to one another, so that immediately the adjacent targets to be arranged opposite one another, wherein each target in a vacuum atmosphere is electrically independent, andApplication of voltages with a phase difference of 180 degrees to the adjacent targets in a predetermined timing during the sputtering process.
机译:一种磁控溅射工艺,包括:通过在多个靶材附近产生磁控放电而进行的溅射工艺,其中,所述靶材彼此靠近布置,使得相邻的靶材立即彼此相对布置。 ,其中在真空气氛中的每个靶是电独立的,并且在溅射过程中在预定的定时向相邻的靶施加具有180度的相位差的电压。

著录项

  • 公开/公告号DE112005001299T5

    专利类型

  • 公开/公告日2007-05-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号DE20051101299T

  • 发明设计人

    申请日2005-06-07

  • 分类号C23C14/35;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 20:29:33

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