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A structured memory cell test

机译:结构化存储单元测试

摘要

An apparatus and method for testing memory cells comprising coupling a first and a second memory cell to a first and a second bit lines, respectively, reading data from the first and second memory cells through the first and second bit lines, and comparing the voltage levels of the first and second bit lines.
机译:一种用于测试存储器单元的设备和方法,包括:将第一存储器单元和第二存储器单元分别耦合到第一位线和第二位线;通过第一位线和第二位线从第一存储器单元和第二存储器单元读取数据;以及比较电压电平第一和第二位线。

著录项

  • 公开/公告号DE60212103T2

    专利类型

  • 公开/公告日2007-01-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号DE2002612103T

  • 发明设计人

    申请日2002-03-08

  • 分类号G11C29/12;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 20:27:58

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