首页> 外国专利> New structure for microelectronics and domain and advantages of

New structure for microelectronics and domain and advantages of

机译:微电子学的新结构和领域及优势

摘要

Production of a structure, incorporating a superficial layer (2), at least one buried layer and a support, comprises : (a) the production of a first structure comprising the formation, on a first support (6), of a first layer (4) of a first material and, in this first layer, of at least one zone (26, 28) of a second material presenting a different engraving speed to that of the first material; (b) the formation of the superficial layer by assembling the first structure with a second support. An independent claim is also included for a device incorporating a superficial layer, at least one buried layer and a support.
机译:包含表面层(2),至少一个掩埋层和支撑物的结构的生产包括:(a)包含在第一支撑物(6)上形成第一层的第一结构的生产( 4)第一材料,并且在该第一层中,第二材料的至少一个区域(26、28)具有与第一材料不同的雕刻速度; (b)通过将第一结构与第二支撑体组装而形成表面层。对于包括表层,至少一个掩埋层和支撑物的装置,也包括独立权利要求。

著录项

  • 公开/公告号FR2875947B1

    专利类型

  • 公开/公告日2007-09-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TRACIT TECHNOLOGIES;

    申请/专利号FR20040052217

  • 发明设计人 BERNARD ASPAR;

    申请日2004-09-30

  • 分类号H01L21/306;B81C1/00;B81B3/00;

  • 国家 FR

  • 入库时间 2022-08-21 20:27:07

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号