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PLASMA RESISTANT SILICON CARBIDE SINTERED COMPACT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

机译:耐等离子碳化硅烧结体及其制造方法

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plasma resistant silicon carbide sintered compact having ≥3.16 kg/cm3 bulk density and a method of stably manufacturing the same.;SOLUTION: The method of manufacturing the plasma resistant silicon carbide sintered compact includes a step for preparing a slurry solution containing silicon carbide powder and a carbon source, a step for obtaining silicon carbide granular powder having ≥89% drying rate from the slurry using a spray drying method, a step for taking out the silicon granular powder having 150-50 μm granular particle diameter distribution from the silicon carbide granular powder and a step for sintering the silicon carbide granular powder using a hot press method.;COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
机译:解决的问题:提供一种堆积密度为3.16kg / cm 3 的耐等离子体的碳化硅烧结体及其稳定制造方法。解决方案:耐等离子体的制造方法碳化硅烧结体包括以下步骤:制备包含碳化硅粉末和碳源的浆料溶液;使用喷雾干燥法从浆料中获得干燥率≥89%的碳化硅颗粒粉末的步骤;取出步骤。碳化硅颗粒粉末具有150-50μm的颗粒粒径分布的硅颗粒粉末,以及使用热压法烧结碳化硅颗粒粉末的步骤。版权所有:(C)2008,JPO&INPIT

著录项

  • 公开/公告号JP2008063197A

    专利类型

  • 公开/公告日2008-03-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 BRIDGESTONE CORP;

    申请/专利号JP20060244490

  • 发明设计人 ODAKA FUMIO;

    申请日2006-09-08

  • 分类号C04B35/626;C04B35/565;C04B35/628;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 20:24:53

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