要解决的问题:提供具有高c轴取向和高比表面积的ZnO自支撑晶体膜及其制造方法。
解决方案:使用其中沉淀有氧化锌的反应系统制造取向的ZnO晶体膜的方法包括以下步骤:向其中沉淀有氧化锌的反应系统中添加乙二胺或氨水,适当调节其温度和pH值。在反应体系中,将反应体系保持适当的时间,静置反应体系以冷却或冷却反应体系以沉淀氧化锌,从而形成漂浮在反应体系液面上的自支撑膜或可转移膜。还公开了具有高c轴取向和高比表面积的ZnO自支撑晶体膜和ZnO器件。
版权:(C)2008,日本特许厅&INPIT
公开/公告号JP2008169053A
专利类型
公开/公告日2008-07-24
原文格式PDF
申请/专利号JP20070001141
申请日2007-01-09
分类号C01G9/02;B82B1/00;B82B3/00;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 20:24:19