要解决的问题:提供一种半导体激光元件,该半导体激光元件可以通过减少制造步骤的数量来进行高成品率的制造。
解决方案:脊形波导型半导体激光元件包括第一导电下覆层(103),有源层(105),第二导电第一上覆层(106),第二导电高Al组成层( 109),不含Al的第二导电保护层(110)和构成在第一导电半导体基板(101)上依次形成的条纹脊(120)的第二导电第二上覆层(111)。所述保护层在除了所述脊的正下方之外的区域中具有部分开口(122)。氧化层(109b)是通过除脊部正下方的区域以外的部分开口对高Al组成层进行氧化而形成的。激光元件包括直接覆盖脊的顶部,至少在一侧上的脊的侧面,保护层和暴露于开口的氧化物层的金属电极层(114)。
版权:(C)2008,日本特许厅&INPIT
公开/公告号JP2008047640A
专利类型
公开/公告日2008-02-28
原文格式PDF
申请/专利权人 SHARP CORP;
申请/专利号JP20060220218
发明设计人 OBAYASHI TAKESHI;
申请日2006-08-11
分类号H01S5/22;H01S5/042;H01L31/02;G11B7/125;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 20:21:07