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FLASH MEMORY SYSTEM, HOST SYSTEM FOR PROGRAMMING THE FLASH MEMORY SYSTEM AND PROGRAMMING METHOD THEREFOR

机译:闪存系统,用于编程闪存系统的主机系统及其编程方法

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multi-channel flash memory system using a plurality of flash memory chips and having an increased overall bandwidth, and a programming method therefor.;SOLUTION: The flash memory system includes a plurality of control units which independently control a plurality of channel units each including at least two flash memory chips, wherein a control unit of each channel programs page data in connected flash memory chips by an interleave system.;COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
机译:解决的问题:提供一种使用多个闪存芯片并且具有增加的总带宽的多通道闪存系统及其编程方法。解决方案:闪存系统包括独立控制的多个控制单元多个通道单元,每个通道单元至少包括两个闪存芯片,其中每个通道的控制单元通过交错系统对连接的闪存芯片中的页面数据进行编程。版权所有:(C)2008,JPO&INPIT

著录项

  • 公开/公告号JP2007334863A

    专利类型

  • 公开/公告日2007-12-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD;

    申请/专利号JP20070098627

  • 发明设计人 KANG SHIN-WOOK;

    申请日2007-04-04

  • 分类号G06F12/06;G06F12;G11C16/02;G11C16/06;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 20:20:45

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