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机译:具有非晶硅层的硅太阳能电池结构的制造方法
公开/公告号US2008241986A1
专利类型
公开/公告日2008-10-02
原文格式PDF
申请/专利权人 AJEET ROHATGI;ABASIFREKE EBONG;VIJAY YELUNDUR;
申请/专利号US20080138105
发明设计人 AJEET ROHATGI;ABASIFREKE EBONG;VIJAY YELUNDUR;
申请日2008-06-12
分类号H01L31/18;
国家 US
入库时间 2022-08-21 20:13:35
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