首页> 外国专利> Real-Time Parameter Tuning Using Wafer Temperature

Real-Time Parameter Tuning Using Wafer Temperature

机译:利用晶圆温度进行实时参数调整

摘要

The invention can provide a method of processing a wafer using a Real-Time Parameter Tuning (RTPT) procedure to receive an input message that can include a pass-through message, a real-time feedforward message, or a real-time optimization message, or any combination thereof. The RTPT procedures can use real-time wafer temperature data to create, modify, and/or use measurement recipe data, measurement profile data, and/or measurement model data. In addition, RTPT procedures can use real-time wafer temperature data to create, modify, and/or use process recipe data, process profile data, and/or process model data.
机译:本发明可以提供一种使用实时参数调整(RTPT)过程来处理晶片以接收输入消息的方法,该输入消息可以包括通过消息,实时前馈消息或实时优化消息,或其任何组合。 RTPT程序可以使用实时晶圆温度数据来创建,修改和/或使用测量配方数据,测量轮廓数据和/或测量模型数据。另外,RTPT程序可以使用实时晶片温度数据来创建,修改和/或使用工艺配方数据,工艺轮廓数据和/或工艺模型数据。

著录项

  • 公开/公告号US2008182343A1

    专利类型

  • 公开/公告日2008-07-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SACHIN DESHPANDE;MERRITT FUNK;

    申请/专利号US20070668553

  • 发明设计人 SACHIN DESHPANDE;MERRITT FUNK;

    申请日2007-01-30

  • 分类号H01L21/00;G01B11/02;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 20:13:37

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号