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Q-switched cavity dumped laser array

机译:调Q腔腔倾卸激光器阵列

摘要

A microchip, Q-switched, cavity-dumped laser is end-pumped by VCSEL or a laser diode and comprises an electro-optic Q-switch mechanism actively controlled by photoconductive switches. The fast response time of the system and its small dimension produce short pulses (ten pico-second range), with high energy (uJ range). The microchip structure may be built using planar, wafer-like components such that a high-density array of lasers may be manufactured without tight alignment tolerances, providing efficient power or energy scaling.
机译:由VCSEL或激光二极管对泵浦的微芯片,调Q腔谐振激光器进行端泵浦,并包括一个由光电导开关主动控制的电光Q开关机构。系统的快速响应时间及其小尺寸产生的短脉冲(十皮秒范围)具有高能量(uJ范围)。可以使用平面的,晶片状的部件来构建微芯片结构,使得可以在没有严格的对准公差的情况下制造高密度的激光器阵列,从而提供有效的功率或能量缩放。

著录项

  • 公开/公告号US2007280305A1

    专利类型

  • 公开/公告日2007-12-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 OVED ZUCKER;

    申请/专利号US20060446270

  • 发明设计人 OVED ZUCKER;

    申请日2006-06-05

  • 分类号H01S3/115;H01S3/11;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 20:11:20

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