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Method of preparing a film layer-by-layer using plasma enhanced atomic layer deposition

机译:使用等离子体增强原子层沉积逐层制备膜的方法

摘要

A method for forming a thin film on a substrate layer by layer using plasma enhanced atomic layer deposition is described. The method comprises using a low power reduction step for at least one cycle in order to substantially avoid partial layer film growth, followed by using a high power reduction step for each cycle thereafter in order to increase deposition rate.
机译:描述了一种使用等离子增强原子层沉积在衬底上逐层形成薄膜的方法。该方法包括至少在一个循环中使用低功率降低步骤,以便基本上避免部分层膜的生长,然后在随后的每个循环中使用高功率降低步骤,以提高沉积速率。

著录项

  • 公开/公告号US7338901B2

    专利类型

  • 公开/公告日2008-03-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TADAHIRO ISHIZAKA;

    申请/专利号US20050206994

  • 发明设计人 TADAHIRO ISHIZAKA;

    申请日2005-08-19

  • 分类号H01L21/44;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 20:09:10

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