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METHOD FOR REVEAL OF DEFECT PARTS OF SEMICONDUCTOR CRYSTALS

机译：揭示半导体晶体缺陷部分的方法

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Method for reveal of defect parts of semiconductor crystals includes heating of semiconductor crystals with ultra-sound and visualization of defects in infrared range of wavelengths.

机译：揭示半导体晶体的缺陷部分的方法包括以超音波加热半导体晶体并可视化红外波长范围内的缺陷。

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公开/公告号UA31098U

专利类型
公开/公告日2008-03-25

原文格式PDF
申请/专利权人 NATIONAL UNIVERSITY LVIVSKA POLYTECHNIKA;
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申请/专利号UAU200713212U
发明设计人 SAVKINA RADA KOSTIANTYNIVNA;SMIRNOV OLEKSII BORYSOVYCH;YURIEV SERHII OLEKSIIOVYCH;YUSCHUK STEPAN IVANOVYCH;
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申请日2007-11-27
分类号G01N29/04;
国家 UA
入库时间 2022-08-21 20:06:06

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