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OPTICAL LITHOGRAPHY METHOD FOR PATTERNING LINES OF EQUAL WIDTH

机译:等宽线绘制的光学光刻技术

摘要

A composite patterning technique may include two lithography processes. A first lithography process may use interference lithography to form a continuous pattern of lines of substantially equal width on a photoresist. A second lithography process may use one or more non-interference lithography techniques, such as optical lithography, imprint lithography and electron-beam lithography, to break continuity of the patterned lines and form desired integrated circuit features.
机译:复合图案化技术可以包括两个光刻工艺。第一光刻工艺可以使用干涉光刻在光致抗蚀剂上形成宽度基本相等的线的连续图案。第二光刻工艺可以使用一种或多种非干扰光刻技术,例如光学光刻,压印光刻和电子束光刻,以破坏图案化线的连续性并形成期望的集成电路特征。

著录项

  • 公开/公告号WO2005036274A3

    专利类型

  • 公开/公告日2008-01-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INTEL CORPORATION;

    申请/专利号WO2004US33070

  • 发明设计人 BORODOVSKY YAN;

    申请日2004-10-06

  • 分类号G03F7/20;

  • 国家 WO

  • 入库时间 2022-08-21 20:02:43

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