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buffer type for a multi - rank dual inline ' memory modules or more rank - double rows connection - memory module (dimm)

机译:多列双列直插式内存模块或更多列的缓冲区类型-双行连接-内存模块(dimm)

摘要

Buffer chip for the drive of external input signals, on which a large amount of compartment rank - double rows of memory module (mr - dimm) are applied to a predetermined number (n) of memory chips, which on a printed circuit board, of the double rows of memory module are fastened,the buffer has chip:the stacked register substrates, wherein each of a few signal driver has, wherein at least two signal drivers are connected in parallel, in order to an external input signal to drive to the memory chip.
机译:用于驱动外部输入信号的缓冲芯片,在该芯片上,预定数量(n)的存储芯片(在印刷电路板上)上使用了大量的隔室等级-双行存储模块(mr-dimm)。双排存储模块被固定,缓冲器具有芯片:堆叠的寄存器基板,其中几个信号驱动器中的每一个具有,其中至少两个信号驱动器并联连接,以便于外部输入信号驱动到内存芯片。

著录项

  • 公开/公告号DE112005003106T5

    专利类型

  • 公开/公告日2007-12-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号DE20051103106T

  • 发明设计人

    申请日2005-11-28

  • 分类号G11C7/10;G11C5/00;G06F13/16;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 19:50:00

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