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Memory rank decoder for a multi-rank Dual Inline Memory Module (DIMM)

机译:用于多列双列直插式内存模块(DIMM)的存储器列解码器

摘要

The invention refers to a Memory Rank Decoder for a Multi-Rank Dual Inline Memory Module (DIMM) having a predetermined number of DRAM memory chips mounted on a printer circuit board (PCB), wherein each DRAM memory chip comprises a predetermined number of stacked DRAM memory dies which are selectable by a memory rank selection signal (r), wherein the memory rank decoder generates the memory rank selection signal (r) in response to external selection signals applied to the dual inline module (DIMM).
机译:本发明涉及一种用于多排双列直插式存储器模块(DIMM)的存储器等级解码器,其具有安装在打印机电路板(PCB)上的预定数量的DRAM存储器芯片,其中每个DRAM存储器芯片包括预定数量的堆叠DRAM。存储器管芯可由存储器列选择信号(r)选择,其中存储器列解码器响应于施加到双列直插模块(DIMM)的外部选择信号而产生存储器列选择信号(r)。

著录项

  • 公开/公告号US7266639B2

    专利类型

  • 公开/公告日2007-09-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SIVA RAGHURAM;

    申请/专利号US20040010182

  • 发明设计人 SIVA RAGHURAM;

    申请日2004-12-10

  • 分类号G06F12/00;G11C8/06;G11C8/12;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 21:00:39

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