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METHOD FOR EVALUATING DISLOCATION OF CRYSTAL, METHOD FOR EVALUATING CRYSTAL GROWTH METHOD, AND CRYSTAL GROWTH METHOD

机译:评估晶体错位的方法,评估晶体生长方法的方法和晶体生长方法

摘要

PPROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for evaluating dislocation of crystals easily and accurately without destroying the crystals. PSOLUTION: A horizontal intensity distribution curve from an asymmetric diffraction plane of a crystalline sample in a reciprocal space is obtained by irradiating the surface of the crystalline sample with X-rays, and thus dislocation of the crystalline sample is evaluated based on the half-width of the intensity distribution curve. PCOPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
机译:

要解决的问题:提供一种在不破坏晶体的情况下轻松准确地评估晶体位错的方法。

解决方案:通过用X射线照射晶体样品的表面,获得晶体样品在互易空间中的不对称衍射平面的水平强度分布曲线,从而根据晶体的位错评估晶体样品的位错。强度分布曲线的一半宽度。

版权:(C)2009,日本特许厅&INPIT

著录项

  • 公开/公告号JP2009008500A

    专利类型

  • 公开/公告日2009-01-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MITSUBISHI CHEMICALS CORP;

    申请/专利号JP20070169368

  • 发明设计人 NAMIDA HIDEO;FUJITO TAKESHI;

    申请日2007-06-27

  • 分类号G01N23/207;H01L21/66;G01N23/04;G01N21/62;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 19:43:41

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