要解决的问题:提供一种在不破坏晶体的情况下轻松准确地评估晶体位错的方法。
解决方案:通过用X射线照射晶体样品的表面,获得晶体样品在互易空间中的不对称衍射平面的水平强度分布曲线,从而根据晶体的位错评估晶体样品的位错。强度分布曲线的一半宽度。
版权:(C)2009,日本特许厅&INPIT
公开/公告号JP2009008500A
专利类型
公开/公告日2009-01-15
原文格式PDF
申请/专利权人 MITSUBISHI CHEMICALS CORP;
申请/专利号JP20070169368
申请日2007-06-27
分类号G01N23/207;H01L21/66;G01N23/04;G01N21/62;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 19:43:41