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Ta-lined tungsten plugs for transistor-local hydrogen gathering

机译:钽衬钨塞,用于晶体管局部氢收集

摘要

The present electronic device includes a dielectric body having an opening therein. A tantalum layer is provided in the opening of the dielectric body, the layer having the characteristic of absorbing hydrogen with decrease in temperature, and releasing hydrogen with increase in temperature. A conductive tungsten plug is provided on the layer in the opening.
机译:本电子设备包括其中具有开口的介电体。钽层设置在介电体的开口中,该层具有随温度降低吸收氢并随温度升高释放氢的特性。导电钨塞设置在开口中的层上。

著录项

  • 公开/公告号US2009065842A1

    专利类型

  • 公开/公告日2009-03-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MATTHEW BUYNOSKI;

    申请/专利号US20070899575

  • 发明设计人 MATTHEW BUYNOSKI;

    申请日2007-09-06

  • 分类号H01L23/52;H01L21/44;H01L29/788;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 19:36:04

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