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METHOD OF IMPROVING INTERCONNECTION BETWEEN ALUMINUM AND COPPER IN SEMICONDUCTOR METAL LINE PROCESS

机译:改善半导体金属线工艺中铝与铜互连的方法

摘要

A method for enhancing an aluminum-copper interconnection in a semiconductor metal line process. In order to solve a reduction in wafer yield due to copper segregation resulting from a time delay during a metal deposition process, copper precipitates are re-solidified into the aluminum film through a quench process of performing annealing on the wafer at a predetermined temperature for a predetermined time correlating to the time delay.
机译:一种用于增强半导体金属线工艺中的铝铜互连的方法。为了解决由于金属沉积过程中的时间延迟导致的铜偏析而导致的晶片成品率降低,通过在预定温度下对晶片进行退火的淬火过程,铜沉淀物被重新固化到铝膜中。与时间延迟相关的预定时间。

著录项

  • 公开/公告号US2008318416A1

    专利类型

  • 公开/公告日2008-12-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 GEON-HI KIM;

    申请/专利号US20080138015

  • 发明设计人 GEON-HI KIM;

    申请日2008-06-12

  • 分类号H01L21/4763;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 19:32:41

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