首页> 外国专利> METHODS OF MAKING NANO-SCALE STRUCTURES HAVING CONTROLLED SIZE, NANOWIRE STRUCTURES AND METHODS OF MAKING THE NANOWIRE STRUCTURES

METHODS OF MAKING NANO-SCALE STRUCTURES HAVING CONTROLLED SIZE, NANOWIRE STRUCTURES AND METHODS OF MAKING THE NANOWIRE STRUCTURES

机译:具有受控大小的纳米尺度结构,纳米结构的制造方法以及纳米结构的制造方法

摘要

Methods of making nanometer-scale semiconductor structures with controlled size are disclosed. Semiconductor structures (200, 300, 400, 500, 600. 700) that include one or ore nanowires (104, 204, 304, 404, 504, 604, 704) are also disclosed. The nanowires can include a passivation layer or have a hollow tube structure.
机译:公开了制造具有受控尺寸的纳米级半导体结构的方法。还公开了包括一个或多个矿石纳米线(104、204、304、404、504、604、704)的半导体结构(200、300、400、500、600、700)。纳米线可以包括钝化层或具有中空管结构。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号