首页> 外国专利> HIGH POWER FACTOR BALLAST POWER SUPPLY CIRCUIT USING DOUBLER CIRCUIT

HIGH POWER FACTOR BALLAST POWER SUPPLY CIRCUIT USING DOUBLER CIRCUIT

机译:使用双倍电路的高功率因数镇流器电源电路

摘要

A high power factor ballast power supply circuit using a doubler circuit is provided to improve efficiency of the power supply by doubling the power voltage while maintaining the high power factor even though a low voltage is applied. A high power factor ballast power supply circuit using a doubler circuit includes a first doubler circuit(100), a second doubler circuit(200), and a discharge circuit unit(300). The first doubler circuit, the second doubler circuit, and the discharge circuit unit supply the power to a load and the load is connected in parallel to a current source. The first doubler circuit includes a first current limit part(110). The second doubler circuit includes a second current limit part(120). The first current limit part includes a second diode and a second resistance. The second current limit part includes a fourth diode and a fourth resistance.
机译:提供使用倍增器电路的高功率因数镇流器电源电路,以通过在保持高功率因数的同时即使施加低电压也使功率电压加倍而提高电源的效率。使用倍增器电路的高功率因数镇流器电源电路包括第一倍增器电路(100),第二倍增器电路(200)和放电电路单元(300)。第一倍增电路,第二倍增电路和放电电路单元向负载提供电力,并且负载并联连接至电流源。第一倍频器电路包括第一电流限制部分(110)。第二倍频器电路包括第二电流限制部分(120)。第一电流限制部分包括第二二极管和第二电阻。第二限流部分包括第四二极管和第四电阻。

著录项

  • 公开/公告号KR100871391B1

    专利类型

  • 公开/公告日2008-12-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 AVERD SEMICONDUCTOR CO. LTD.;

    申请/专利号KR20070096535

  • 发明设计人 AHN KEE CHEOL;

    申请日2007-09-21

  • 分类号H05B41/24;H05B41/14;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 19:14:22

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号