要解决的问题:提供一种在不使用温度的情况下形成可以用作电子部件的介电材料的陶瓷氧化物材料的过程中,获得具有高介电常数和低介电损耗正切的材料的过程。降解周边零件。解决方案:该方法涉及一种用于形成包含至少一种烧绿石晶体相的铅基陶瓷氧化物介电材料的方法,该方法包括:(a)沉积至少一个铅基非晶态层的步骤。基板上的陶瓷氧化物材料; (b)在不超过550℃的温度下在非晶层上进行的结晶退火步骤,由此获得包括至少一种烧绿石结晶相的铅基陶瓷氧化物介电材料。
版权:(C)2010,日本特许厅&INPIT
公开/公告号JP2010077020A
专利类型
公开/公告日2010-04-08
原文格式PDF
申请/专利号JP20090216780
申请日2009-09-18
分类号C01G33;H01L21/316;H01L21/822;H01L27/04;C04B35/46;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 19:01:52