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Laser trimming evaluation method and laser intensity setting method for laser trimming

机译:激光微调的激光微调评价方法和激光强度设定方法

摘要

A method of evaluating laser trimming of a semiconductor device having a thin film resistor is disclosed. The method includes the steps of providing the thin film resistor and laser trimming the thin film resistor by creating a first trim cut. The first trim cut bisects the thin film resistor such that the thin film resistor is divided into a first portion and a second portion. Also, the method involves measuring the insulation resistance of the thin film resistor. In addition, the method involves evaluating the trim cut based on the measured insulation resistance.
机译:公开了一种评估具有薄膜电阻器的半导体器件的激光修整的方法。该方法包括以下步骤:提供薄膜电阻器,并且通过产生第一修整切口来激光修整薄膜电阻器。第一修整切口将薄膜电阻器一分为二,从而将薄膜电阻器分为第一部分和第二部分。而且,该方法包括测量薄膜电阻器的绝缘电阻。另外,该方法包括基于测得的绝缘电阻来评估修整切割。

著录项

  • 公开/公告号JP4508023B2

    专利类型

  • 公开/公告日2010-07-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社デンソー;

    申请/专利号JP20050211811

  • 发明设计人 山下 道男;

    申请日2005-07-21

  • 分类号H01L21/66;B23K26;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 19:00:31

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