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Enhanced Transmission Lines for Radio Frequency Applications

机译:射频应用的增强型传输线

摘要

An integrated circuit structure includes a semiconductor substrate of a first conductivity type; a depletion region in the semiconductor substrate; and a deep well region substantially enclosed by the depletion region. The deep well region is of a second conductivity type opposite the first conductivity type, and includes a first portion directly over the deep well region and a second portion directly under the deep well region. A transmission line is directly over the depletion region.
机译:一种集成电路结构,包括第一导电类型的半导体衬底;以及第二半导体衬底。半导体衬底中的耗尽区;深阱区基本上被耗尽区包围。深阱区域具有与第一导电类型相反的第二导电类型,并且包括直接在深阱区域上方的第一部分和直接在深阱区域下方的第二部分。传输线直接位于耗尽区上方。

著录项

  • 公开/公告号US2010264509A1

    专利类型

  • 公开/公告日2010-10-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 CHEWN-PU JOU;HO-HSIANG CHEN;

    申请/专利号US20100697908

  • 发明设计人 HO-HSIANG CHEN;CHEWN-PU JOU;

    申请日2010-02-01

  • 分类号H01L29/06;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 18:56:30

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