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Method of Forming an Integrated Circuit with NAND Flash Array Segments and Intra Array Multiplexers and Corresponding Integrated Circuit with NAND Flash Array Segments and Intra Array Multiplexers

机译:具有NAND闪存阵列段和阵列内多路复用器的集成电路的形成方法以及具有NAND闪存阵列段和阵列内多路复用器的相应集成电路的形成方法

摘要

The present invention provides an integrated circuit including N1 NAND flash array segments with N2 local bit lines, N1 intra array multiplexers and N2/2 global bit lines. Further, the present invention provides a method of producing an integrated circuit including N1 NAND flash array segments with N2 local bit lines, N1 intra array multiplexers and N2/2 global bit lines.
机译:本发明提供了一种集成电路,其包括具有N2个本地位线,N1个内部阵列多路复用器和N2 / 2个全局位线的N1个NAND闪存阵列段。此外,本发明提供一种制造集成电路的方法,该集成电路包括具有N2个局部位线,N1个内部阵列多路复用器和N2 / 2个全局位线的N1个NAND闪存阵列段。

著录项

  • 公开/公告号US2009296473A1

    专利类型

  • 公开/公告日2009-12-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 STEFFEN MEYER;

    申请/专利号US20080129765

  • 发明设计人 STEFFEN MEYER;

    申请日2008-05-30

  • 分类号G11C16/04;G11C7/00;H01S4/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 18:51:40

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