首页> 外国专利> Defect analysis methods for semiconductor integrated circuit devices and defect analysis systems

Defect analysis methods for semiconductor integrated circuit devices and defect analysis systems

机译:半导体集成电路器件和缺陷分析系统的缺陷分析方法

摘要

A defect analysis method includes storing, in a database, data indicative of defects and analog characteristics of corresponding defective bits in a database. A first defective area in a first wafer is found, and analog characteristics of defective bits in the first defective area are measured. The measured analog characteristics and the analog characteristics stored in the database are compared to locate a defect causing the first defective area.
机译:缺陷分析方法包括在数据库中存储指示缺陷和对应缺陷位的模拟特性的数据的数据库。找到第一晶片中的第一缺陷区域,并测量第一缺陷区域中的缺陷比特的模拟特性。比较所测量的模拟特性和存储在数据库中的模拟特性,以定位引起第一缺陷区域的缺陷。

著录项

  • 公开/公告号US7822561B2

    专利类型

  • 公开/公告日2010-10-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 JONG-HYUN LEE;

    申请/专利号US20080007706

  • 发明设计人 JONG-HYUN LEE;

    申请日2008-01-15

  • 分类号G01B5/28;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 18:50:26

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号