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Epitaxial layer structures and precursors for topotactic anion exchange oxide films

机译:外延层结构和全阳离子阴离子交换氧化物薄膜的前体

摘要

This invention disclosure describes methods for the fabrication of metal oxide films on surfaces by topotactic anion exchange, and laminate structures enabled by the method. A precursor metal-nonmetal film is deposited on the surface, and is subsequently oxidized via topotactic anion exchange to yield a topotactic metal-oxide product film. The structures include a metal-oxide layer(s) and/or a metal-nonmetal layer(s).
机译:本发明公开内容描述了通过全位阴离子交换在表面上制造金属氧化物膜的方法,以及由该方法实现的层压结构。将前体金属-非金属膜沉积在表面上,然后通过全位阴离子交换进行氧化,以生成全位金属氧化物产物膜。所述结构包括金属氧化物层和/或金属非金属层。

著录项

  • 公开/公告号US7732067B2

    专利类型

  • 公开/公告日2010-06-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MARK A. ZURBUCHEN;

    申请/专利号US20070962890

  • 发明设计人 MARK A. ZURBUCHEN;

    申请日2007-12-21

  • 分类号B32B9/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 18:48:25

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